瑞森半导体（REASUNOS）诚邀参加2023慕尼黑上海电子展
2023慕尼黑上海电子展规模预计10万平米，参展企业将达1600+。瑞森半导体将于7月11日-13日亮相2023慕尼黑上海电子展，诚邀您前往瑞森半导体(展位号：7.2H馆 D320展位)参观。
瑞森半导体(REASUNOS)起步于2007年，专注于功率半导体器件及功率IC的研发、设计、销售， 为全球客户提供功率半导体整体解决方案。公司产品涵盖SiC碳化硅MOS、SiC碳化硅二极管、硅基平面MOS、超结MOS、中低压MOS、LED驱动IC、电机驱动IC和系列ESD&TVS静电保护器件等，凭借产品可靠性高、参数一致性好等特点，目前市面上热销的产品有1000多款。
瑞森半导体核心研发第三代宽禁带半导体技术，于2018年开始研究、设计碳化硅功率器件，目前瑞森半导体SiC MOSFET系列已成功量产650V、1200V 、1700V，经过军工研究所实验室及CNAS实验室验证，产品兼容20V和18V驱动，显著改善单位面积导通电阻、开关损耗降低30%，可靠性提高，工作结温提升到175摄氏度，15V驱动SiC MOSFET产品正在研发中。
(资料图)
SiC SBD系列成功量产650V~1700V，3300V 研发中。低VF，高浪涌电流能量;极小的反向恢复电流，大幅降低开关损耗 ;更高频率的运行，能让被动元器件做得更小;碳化硅(SiC)二极管系列封装包含TO-252、DFN5*6、TO-220-2L、DFN8*8、TO-263、TO-247-2L、TO-247-3L等，封装产品丰富，为设计者们提供了极大的灵活性。
硅基功率器件：平面高压MOS，超结MOS，Trench低压MOS和SGT低压MOS, 产品涵盖20V-1500V全耐压段，可以满足各种不同应用场景。
功率IC主要以半桥工艺为基础，目前已成功量产高PF无频闪LED恒流驱动IC系列，是国内唯一 一家可以单级方案做到400W以上的大功率并涵盖高PF、低THD、无频闪、高效率等优势的产品系列，其中效率超过94%，PF(功率因数)大于0.96，THD(总谐波失真)在5%以内，频闪系数<0.03(远远优于国标1.15的标准)。
瑞森半导体在2023年，将扩大第三代半导体的布局，继续加大研发投入，优化产品设计的同时也优化生产制程，开发更低VF值的二极管产品、完善650V和1700V MOS产品系列，还将就更高耐压、更大电流，模块化等方向以及GaN HEMTs系列持续投入研发。
2023慕尼黑上海电子展聚焦新能源汽车、自动驾驶、智能座舱 、充电桩、光伏、逆变等领域核心技术。瑞森半导体凭借产品性能、种类、稳定性、一致性等产品优势，已与行业内众多新能源、充电桩及光伏等厂家合作，诚邀更多品牌及厂家针对新兴科技领域进行研究和探讨。
展会现场瑞森半导体功率器件FAE总监及驱动方案研发总监也将坐镇展会现场，专业解答各类技术问题。同时展会活动现场还有各类福利，诚邀全球客户观展。
关于瑞森半导体 (REASUNOS)
瑞森半导体(REASUNOS)起步于2007年，是一家专注于功率半导体器件及功率IC的研发、设计、销售的国家级高新技术企业， 致力于为全球客户提供功率半导体整体解决方案。
公司专注于高质、高性能的产品研发，核心研发第三代宽禁带半导体技术，是国内碳化硅(SiC)产品系列较早实现量产并全球销售的企业。品质、性能对标国际品牌，成功替代众多进口系列，助力芯片国产化。在集成芯片领域， 国内首创单级大功率400W高PF无频闪LED驱动IC，是具备较强竞争力、自主创新的产品。在功率器件领域，就更高耐压、更大电流，模块化等发展方向以及GaN HEMTs系列持续投入研发中。
公司产品涵盖碳化硅MOS、碳化硅二极管、硅基平面MOS、超结MOS、中低压MOS、LED驱动IC、电机驱动IC和系列ESD&TVS静电保护器件等，凭借产品可靠性高、参数一致性好等特点，广泛应用于新能源汽车 、充电桩、光伏、逆变、储能、白色家电、工业控制和消费类电子等领域。
瑞森半导体始终关注客户需求，将产品研发放在首要位置，公司于2022年成立瑞森半导体科技(湖南)有限公司，并与湖南大学创建“湖南大学半导体学院产教融合基地”，进行半导体技术与应用创新的深度研发合作。
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